1、最后,模拟研究了“双沟道”mESFET结构,并根据模拟仿真的直流输出特性以及击穿特性,优化了“低沟道”层和“高沟道”层的结构参数。
2、高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应,显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。
3、文中通过利用耗尽层阻断沟道的方法,讨论了一种基于RST结构原理实现“或非”逻辑功能的器件结构。
4、它还集成了两个内部低饱和PNP晶体管,措置双沟道充电性能.
5、湖底扇、辫状沟道砂体易于形成岩性油气藏。
6、m时,由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后,器件穿通风险加大。
7、由于沟道存在很强的沟床和沟壁侵蚀,沟道也成为土壤侵蚀风险区。
8、moSFET三级模型也成为半经验模型,这个模型不仅包括了亚阈值情况,而且还试图说明了短沟道效应和窄沟道效应。
9、经分析,是由于金属栅极的缝隙距离或孔径过大,势垒区耗尽层远小于沟道宽度,栅压起不到明显的调控作用。
10、传统晶体管使用一个叫做“栅极”的金属电极,以控制电子在平面硅基片上的沟道中的流动。